Samsung planea comenzar la producción en masa de 3 nm техпроцессу en 2021

La compañía Samsung ha anunciado que tiene previsto iniciar la producción masiva de semiconductores de трехнанометровому proceso GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) ya en el 2021.

Samsung y otros fabricantes están desarrollando la tecnología GAAFET desde el inicio de la década de 2000. Esta tecnología debe sustituir al actual FinFET (Fin Field-Effect Transistor) y permitirá superar el último limitaciones en el rendimiento y la escalabilidad.

La arquitectura de los transistores GAAFET supone que todo el нанопроводниковый canal, situado en horizontal o vertical, se está rodeado de una puerta. A su vez, el transistores FinFET obturador rodea el canal no completamente, sino sólo de tres partes. El enfoque de GAAFET reduce la pérdida de tensión, aumentando la eficiencia de trabajo de los transistores. Y esto ayuda a reducir la tensión de trabajo, y por ende el consumo de energía.

Todavía en el año 2017, la compañía Samsung ha declarado su intención de iniciar la producción de productos de 4 nm техпроцессу GAAFET ya en el año 2020. A continuación, algunos de los analistas de la industria, por ejemplo, el vicepresidente de Garner Сэмуэль wang (Samuel Wang), se mostraron escépticos y afirmaban que la producción en masa con el uso de GAAFET apenas comenzará antes de 2022. Sin embargo, ahora, los analistas creen que Samsung podría comenzar la producción de GAAFET chips antes de lo esperado.

Al final también tenga en cuenta que Samsung ahora es el líder en el desarrollo de 7 nm de un flujo de trabajo con литографией en una profunda gamas uv (electro-inversoras). El fabricante coreano ya fabrica los chips de esta tecnología, y a mediados de año está previsto el lanzamiento de la producción en masa. A su vez, TSMC y Global Foundries se encuentran todavía en las etapas más tempranas de utilización del electro-inversoras-litografía.

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