China no va a darse por vencido en el campo de la DRAM, a pesar de las dificultades

La ventaja de los fabricantes surcoreanos de memoria DRAM parece indiscutible, teniendo en cuenta que Samsung Electronics y SK Hynix controlan tres cuartas partes del mercado mundial de DRAM. Sin embargo, china, que aspira a mejorar su estado sólido de la autosuficiencia, no va a darse por vencido.

China es el mayor importador mundial de chips de memoria y acelera su carrera como productor independiente. Sin embargo, las recientes sanciones de estados unidos contra el fabricante de DRAM, Fujian Jinhua Integrated Circuit Company, fundada con el apoyo activo de las autoridades de china, así como la persistencia de las tensiones en el comercio entre estados unidos y china, que frenan el ritmo de desarrollo local en el sector de los chips de memoria.

Los coreanos de Samsung y SK Hynix siguen ampliando su brecha tecnológica con los competidores en el segmento de DRAM, y Samsung ya está desarrollando chips de LPDDR5 de la clase 10 nm y SK Hynix ha presentado primero en la industria de la memoria DDR5, que cumple con los estándares JEDEC. Según los datos de la DRAMeXchange, la proporción de Samsung y SK Hynix en el mercado mundial de DRAM alcanzó un 74,6 % en el tercer trimestre de 2018, y detrás de ellos debe americana de Micron Technology, con la participación en el 21,1 %.

En opinión del director general de Powerchip Technology frank Хуанга (Frank Huang), un aumento de la inseguridad en el comercio entre china y los estados unidos también, hará más lento el desarrollo de china de la industria de los semiconductores en general. La prohibición de exportación de estados unidos para Fujian Jinhua, acusada junto con la UMC en el robo de secretos comerciales Micron, es un grave obstáculo para el desarrollo del sector de la memoria de china. Inicialmente, Fujian Jinhua iba a proceder a la producción de DRAM de la primera generación de tecnólogos 3X-nm a finales de 2018, pero ahora la actividad de la empresa está atravesando una etapa de incertidumbre.

Sin embargo, esta misma situación puede ser aún más fuerte para empujar el gobierno chino a las acciones activas de desarrollo locales de las industrias de alta tecnología, para mejorar la autosuficiencia del país, aunque se trata de un largo y difícil camino.

Los otros dos chinos principiantes de la empresa en el área de memoria — Yangtze Memory Technologies (YMTC) y Innotron Memory (conocida anteriormente como Hefei ChangXin o Hefei RuiLi) — se preparan para el comienzo de la producción comercial en el 2019, año en que se convertirá en el significativo avance de china en el ámbito de la DRAM. Según informes recientes, la YMTC procedió a la entrega de muestras de su 64-слойного 3D NAND-chip, y la producción en masa, probablemente, comenzará en el tercer trimestre de 2019. En 2020, la compañía tiene previsto pasar a la producción en masa ya 128-capas de la memoria.

Innotron debe presentar sus muestras de ingeniería de 8 gb de los chips DDR4 a finales de 2018 y 8 gb LPDDR4 — en el tercer trimestre de 2019, que dijo el recién nombrado director ejecutivo de la benzoquinona Zu (Yiming Zhu). La compañía también tiene previsto completar la asimilación de 17 nm en el proceso de 2021.

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